半导体工艺掩膜版和防尘薄膜
半导体工艺掩膜版和防尘薄膜 – 光刻胶喷涂 – 驰飞超声波喷涂
掩膜版和防尘薄膜：
掩膜版：掩膜版微电子制造过程中的图形转移母版，掩膜版的作用是将设计者的电路图形通过曝光的方式转移到下游行业的基板或晶圆上，从而实现批量化生产。作为光刻复制图形的基准和蓝本，掩膜版是连接工业设计和工艺制造的关键，掩膜版的精度和质量水平会直接影响最终下游制品的优品率。
掩膜基板材料：合成石英为主，原材料主要依靠进口；
光刻是将掩膜版上的图形精确地转移到光刻胶上，所以如果掩膜版上有缺陷，也会全部转移到光刻胶上。掩膜版是在透光的石英基板上用铬（Cr）作为遮光材料，形成一定的图形。如果铬膜有缺陷、划痕、灰尘或颗粒，都会导致图形缺陷，降低半导体器件的成品率。掩膜版的制造、检查和管理是前段制程生产线的重要课题。
随着微细化的发展，相移掩膜和OPC等掩膜版的结构也变得越来越复杂。
相移掩膜（PSM，Phase Shift Mask）：在掩膜板上，周期性地在相邻的图形中，每隔一个图形特征对掩膜板的结构（减薄或者加厚）进行改变，使相邻图形的相位相差180度，从而可以达到提升分辨率的目的。
相移掩膜板技术使掩膜板的制作难度和成本大幅增加。
OPC（Optical Proximity Effect Correction）的缩写，光学临近效应矫正。在曝光过程中，往往会因为光学临近效应使最后的图形质量下降：线宽的变化；转角的圆化；线长的缩短等。因此，需要在掩膜版上形成用于矫正图形的辅助图案，以以制光的临近效应并提高分辨率。
防尘薄膜：
防尘薄膜是为了防止光学掩模版上的颗粒造成图形缺陷的薄膜，在掩膜版上几mm的位置上，在边框上粘一层薄薄的透明膜，这样即使有颗粒，在防尘膜上也不会对曝光图形造成影响。因为掩膜版与防尘膜是分开的，一般保护膜距离基板距离为6 mm，而光刻机的焦深最多100~200 nm，当颗粒投影到晶圆表面时会失焦(defocus)，在晶圆表面形成一个模糊的像，对晶圆表面条纹影响较小。
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