硅片上喷涂光刻胶
硅片上喷涂光刻胶 – 半导体喷涂工艺 – 光刻机喷嘴 – 驰飞超声波喷涂
光致抗蚀剂的旋涂，尽管已建立的抗蚀剂沉积技术通常不适用于硅或玻璃表面具有高形貌的应用。由于沟槽、V形槽和孔等3D结构是构建MEMS器件所需功能的基本元素，旋涂通常会在抗蚀剂层上造成缺陷。特别是在沟槽的侧壁，由于重力，光致抗蚀剂将沿着斜坡向下流动，在底部角落积聚，并导致顶部角落断开。对于金属图案化（金属化过孔），这些区域中的光致抗蚀剂层的不连续性至关重要。在正光刻中，金属层将不会受到顶角区域中的光致抗蚀剂的保护。因此，金属层将被蚀刻，器件的功能受到影响。与高形貌晶片上的纺丝工艺相关的另一个问题与沉积的均匀性有关。由于晶片的非平面性，晶片顶表面上的光致抗蚀剂层的均匀性非常差。
由于高形貌表面的光刻胶涂层是MEMS应用的基础，因此讨论了超声波光刻胶涂料的最新进展。由于这种超声光致抗蚀剂涂覆方法经济、简单且可重复，因此这种方法可以潜在地替代传统的旋涂技术和其他方法。超声波光致抗蚀剂喷涂方法是一种可靠的方法，不仅在平坦表面上，而且在沟槽内斜坡的边缘和侧面上，都可以提高光致抗抗蚀剂涂层的质量。
